高電圧ダイオードの伝導特性の比較分析

シリコン材料のターンオン閾値: 0.6V～1.2V (ドーピング濃度と正の相関)

炭化ケイ素デバイスの利点: オン電圧は約 3V ですが、高温安定性は 200% 向上しています-

ダイナミックターンオン損失: 高速回復タイプにより、従来型と比較してスイッチング損失が 40% 削減されます